半導体エンジニア | 東京都の求人・転職情報
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フォトニクス/PIC設計エンジニア
デクセリアルズ株式会社
No. 01009011000097
- 仕事内容
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●Si-Photoによるコヒーレント方式TxRx PIC開発 PIC仕様検討、Lumerical、Tannerを用いたSi-Photo PIC設計/評価解析、システム全体での回路解析シミュレーション、電磁界シミュレーションによるSパラメータ解析、VNAやAWGを用いたPICの信号品質評価解析、外部委託先との折衝をおこなっていただきます。 ●設計環境整備、評...
- 経験・資格
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【必須要件】 下記のいずれかのご経験を有し、海外のジャーナル論文などから知見を獲得し業務に反映できる事が必須となります。 ・半導体物性・波動光学・光コヒーレント通信方式に関する知見 ・PIC・光導波路の設計/評価経験 ・システム全体での回路解析シミュレーション・光導波路や半導体デバイスのシミュレーション...
- 推奨年齢
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- 想定年収
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1000 万円 ～ 1500 万円
- 勤務地
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栃木県下野市下坪山1724
宮城県多賀城市桜木3-4-1
東京都中央区京橋1-6-1 三井住友海上テプコビル9F
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フォトニクス/化合物デバイス設計エンジニア
デクセリアルズ株式会社
No. 01009011000096
- 仕事内容
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●化合物半導体による高速受光器の開発 FDTDやBPMを用いた光導波路素子設計/評価解析、TCAD による高速受光器設計、電磁界シミュレーションによるSパラメータ解析、VNAやAWGを用いた高速デバイスの評価解析を行う。 ●設計環境整備、評価環境整備 シミュレータの保守更新、測定器の導入と保守更新を行う。 【ご入社後のキ...
- 経験・資格
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【必須要件】 下記のいずれかを有し、海外のジャーナル論文などから知見を獲得し業務に反映できる事が必須となります。 ・半導体物性・波動光学の知見 ・半導体デバイス・光導波路の設計/評価経験 ・光導波路や半導体デバイスのシミュレーション経験 ・高周波回路の設計/測定経験 【歓迎要件】 ・光イーサネット・光コヒ...
- 推奨年齢
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- 想定年収
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650 万円 ～ 1500 万円
- 勤務地
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栃木県下野市下坪山1724
宮城県多賀城市桜木3-4-1
東京都中央区京橋1-6-1 三井住友海上テプコビル9F
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AD/ADAS向け次世代SoC(System on Chip)および半導体IPの開発
株式会社デンソー
No. 01008452000888
- 仕事内容
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SoC(System On Chip)の開発経験を活かし、AD(自動運転)・ADAS(運転支援)の安心安全をより高める次世代SoC開発のアーキテクトおよびエンジニアを募集しています。 【業務内容】 以下のいずれかに従事 ・SDVアーキテクチャ開発 -タスクスケジューリング方式/QoS(NoC,DRAMC)仕様開発 -SW/HWパーティショニング技術開発 ・...
- 経験・資格
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＜MUST要件＞ 以下いずれかの業務の経験があること ・SoC開発企画におけるアーキテクチャ開発または詳細要件定義 ・SoC開発の全体とりまとめ、またはチームリーダー ・SoC開発プロセスに基づいたドキュメント作成 ・SoCまたはIPのRTL設計・検証 ・論理合成、DFT設計、PPA改善、PnR ・ArterisでのNoC設計・検証 ・DRAMコ...
- 想定年収
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550 万円 ～ 1450 万円
- 勤務地
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愛知県刈谷市昭和町1-1
東京都港区新橋4丁目3-1 新虎安田ビル10階
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AD/ADAS向けSoCのソフトウェア設計基盤開発
株式会社デンソー
No. 01008452000886
- 仕事内容
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AD(自動運転)・ADAS(運転支援)向けSoC(System On Chip)におけるAIやソフトウェアの生産性を飛躍的に向上するフレームワークやコンパイラ、各種ツール等を一緒に構築する仲間を募集しています。 【業務内容】 ・SoCソフトウェア実装技術開発 -コンパイラ、プロファイラ、並列処理フレームワーク ・AIモデルのSoC実装技術...
- 経験・資格
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＜MUST要件＞ 下記のいずれかの知識/経験を有している方 ・組込みシステムとコンピュータアーキテクチャに関する修士レベルの知識 ・低レイヤ・ミドルレイヤソフトの開発経験 ・C/C++/Pythonによる実装経験 ・Linux上でのソフトウェア開発経験 ＜WANT要件＞ 下記のいずれかの知識/経験を有している方 ・GPUプログラミン...
- 想定年収
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550 万円 ～ 1450 万円
- 勤務地
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東京都港区新橋4丁目3-1 新虎安田ビル10階
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研究開発職(次世代半導体の開発)／東京
プライム上場 重電メーカー
No. 02000490000513
- 仕事内容
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SiC, GaN等の次世代半導体材料を用いたパワーデバイスの開発業務、物性解析、プロセス開発、デバイス設計・試作・評価等の研究開発をお任せします。 【業務詳細】 ・プロセス開発：デバイス特性向上に向けたプロセス開発として、物理現象や材料特性にもとづいて検討し、改善指針を構築 ・物性解析：電気的特性評価、分析...
- 経験・資格
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＜最終学歴＞大学院、大学卒以上 ●必須要件：下記いずれかに該当をする方 ・半導体デバイスの構造、動作原理、電気的特性および特性評価技術に関する研究・開発経験 ・半導体材料またはそのプロセス技術の研究・開発経験 ・基本的な半導体プロセスができパワーデバイス開発に必要なプロセスインテグレーションの知識を有...
- 想定年収
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600 万円 ～ 900 万円
- 勤務地
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東京都日野市
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高機能エラストマーの材料開発 (リーダー候補)【東京】
東証プライム上場 大手産業用素材製品メーカー
No. 02008392000008
- 仕事内容
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・半導体製造装置のシール材として用いられるフッ素系エラストマー材料の開発 ・顧客や原料メーカー等との協業による新材料、新製法、新技術の開発
- 経験・資格
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【必須】 ・大学院、大学卒以上 ・有機化学、高分子化学、分析化学等の知識を有しており、特にフッ素系材料に精通している方 ・フッ素系ポリマーやフッ素系化学製品の開発(特にフッ素ゴム)において、合成の経験と知識を有している方 【歓迎】 ・海外顧客と日常会話できるレベル以上の英語力 ・半導体関連の知識を有し、...
- 想定年収
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450 万円 ～ 700 万円
- 勤務地
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東京都
